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SI2312BDS-T1-E3中文资料

SI2312BDS-T1-E3图片

SI2312BDS-T1-E3外观图

  • 大小:108KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:2312; Current Id Max:5A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:750μW; Pulse Current Idm:15A; SMD Marking:M2; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:0.85V; Voltage Vgs th Min:0.45V
  • 数据列表:SI2312BDS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:31 毫欧 @ 5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):850mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:750mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2312BDS-T1-E3TR

SI2312BDS-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-11 08:16:02
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